RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3140
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link