RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2734
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link