RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3198
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link