RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2942
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link