RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2261
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link