RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
69
Wokół strony -283% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3530
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link