RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2736
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link