RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2705
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link