RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3115
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link