RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3672
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link