RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3466
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link