RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
69
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3192
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link