RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3091
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link