RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
69
Wokół strony -245% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3217
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link