RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2113
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link