RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
69
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2030
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link