RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2091
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link