RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2337
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link