RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2665
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link