RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2962
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link