RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3795
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link