RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2774
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link