RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2954
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link