RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
69
Wokół strony -245% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3127
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link