RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
69
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1813
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link