RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2140
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link