RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3961
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link