RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
69
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1699
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link