RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
69
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2113
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link