RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,906.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,323.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
703
2953
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link