Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Puntuación global

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Puntuación global

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

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Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 16.3

Valor medio en las pruebas

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Razones a tener en cuenta
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 66

En -120% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.4 1,906.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 6400

En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR2 DDR4
Latencia en PassMark, ns

66 30
Velocidad de lectura, GB/s

4,323.0 16.3
Velocidad de escritura, GB/s

1,906.1 11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps

6400 17000

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

703 2953

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

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Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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