RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3204
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link