RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
68
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2415
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link