RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2804
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link