RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3990
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link