RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2792
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link