RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3650
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link