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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

总分
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

总分
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Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 64
    左右 -129% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 1,869.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    64 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,477.7 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    1,869.1 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    697 left arrow 3650

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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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内存RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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