RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2875
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link