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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
37
读取速度,GB/s
4,477.7
15.3
写入速度,GB/s
1,869.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2875
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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