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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
16.9
写入速度,GB/s
870.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3192
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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