RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
87
Por volta de -295% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3192
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link