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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
19.3
写入速度,GB/s
8.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3914
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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