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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
87
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
61
读取速度,GB/s
3,155.6
17.9
写入速度,GB/s
870.4
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2136
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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