RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2175
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link