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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
25
读取速度,GB/s
4,477.7
14.8
写入速度,GB/s
1,869.1
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2175
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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