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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
87
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
37
读取速度,GB/s
3,155.6
16.8
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2990
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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