RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3418
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link