RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2812
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link