Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Note globale
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 44
    Autour de -33% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.8 left arrow 13
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.4 left arrow 8.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.0 left arrow 14.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.2 left arrow 11.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2069 left arrow 2812
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons